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该项目对cp对称性自发破缺的双黑格斯二重态模型s2hdm中一些重要的物理唯象进行系统研究,-s2hdm可以成为cp破坏起源的一种新物理模型。在电荷-宇称对称性破坏和夸克-轻子味物理理论研究方面




比如电源电压为+4.5v的cmos驱动器,在低电平时典型的输出阻抗为37ω,在高电平时典型的输出阻抗为45ω[4];ttl驱动器和cmos驱动一样,其输出阻抗会随信号的电平大小变化而变化。




并联终端匹配优点是简单易行;显而易见的缺点是会带来直流功耗:单电阻方式的直流功耗与信号的占空比紧密相关?;双电阻方式则无论信号是高电平还是低电平都有直流功耗。因而不适用于电池供电系统等对功耗要求高的系统。




另外,单电阻方式由于驱动能力问题在一般的ttl、cmos系统中没有应用,而双电阻方式需要两个元件,这就对pcb的板面积提出了要求,因此不适合用于高密度印刷电路板。数位系统之多层板讯号线signal line中,当出现方波讯号的传输时,可将之假想成为软管hose送水浇花。一端于手握处加压使其射出水柱






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